同步整流技術采用通态電阻極低的(de)電力MOSFET來(lái)取代整流二極管,能大(dà)大(dà)降低整流電路的(de)損耗,提高DC/DC變換器的(de)效率,滿足低壓、大(dà)電流整流器的(de)需要(yào / yāo)。本文從分析《電力電子(zǐ)技術》教材中同步整流電路的(de)原理圖着手,介紹了(le／liǎo)電力MOSFET的(de)反向電阻工作區及同步整流技術的(de)基本原理,并對同步整流電路中的(de)驅動電路和(hé / huò)栅極電壓波形進行了(le／liǎo)分析。

同步整流的(de)基本電路結構：

功率MOSFET屬于(yú)電壓控制型器件，它在(zài)導通時(shí)的(de)伏安特性呈線性關系。用功率MOSFET做整流器時(shí)，要(yào / yāo)求栅極電壓必須與被整流電壓的(de)相位保持同步才能完成整流功能，故稱之(zhī)爲(wéi / wèi)同步整流。PS7516和(hé / huò)PS7616是(shì)锂電池升壓輸出(chū)5V1A,2A的(de)同步整流升壓經典IC，FP6717，FP6716也(yě)是(shì)锂電池升壓輸出(chū)5V3A，5V2A中的(de)佼佼者。

爲(wéi / wèi)什麽要(yào / yāo)應用同步整流技術：

電子(zǐ)技術的(de)發展，使得電路的(de)工作電壓越來(lái)越低、電流越來(lái)越大(dà)。低電壓工作有利于(yú)降低電路的(de)整體功率消耗，但也(yě)給電源設計提出(chū)了(le／liǎo)新的(de)難題。

開關電源的(de)損耗主要(yào / yāo)由3部分組成：功率開關管的(de)損耗，高頻變壓器的(de)損耗，輸出(chū)端整流管的(de)損耗。在(zài)低電壓、大(dà)電流輸出(chū)的(de)情況下，整流二極管的(de)導通壓降較高，輸出(chū)端整流管的(de)損耗尤爲(wéi / wèi)突出(chū)。快恢複二極管（FRD）或超快恢複二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的(de)肖特基二極管（SBD），也(yě)會産生大(dà)約0.6V的(de)壓降，這(zhè)就(jiù)導緻整流損耗增大(dà)，電源效率降低。